Name: DI002N10PWK
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI002N10PWKTR-ND
Price: 1.0209 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DI002N10PWK
Numer produktu DigiKey	4878-DI002N10PWKCT-ND - Taśma cięta (CT) 4878-DI002N10PWKTR-ND
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DI002N10PWK
Opis	MOSFET N-CH 100V 2A 6-POWERUDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-QFN (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DI002N10PWK Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 250mOhm przy 2A, 10V
Prod. Diotec Semiconductor	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Opakowanie Taśma cięta (CT) Zbiorcze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.4 nC @ 10 V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 454 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-QFN (2x2)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 6-PowerUDFN

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 820

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT)

Zbiorcze

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	0,83000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,02090 zł

DI002N10PWK