
DI002N10PWK-AQ | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 4878-DI002N10PWK-AQ-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DI002N10PWK-AQ |
Opis | MOSFET N-CH 100V 2A 6-POWERUDFN |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 8 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-QFN (2x2) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | DI002N10PWK-AQ Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 250mOhm przy 2A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 8.4 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | - | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 454 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2W (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 6-QFN (2x2) | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,05000 zł | 2,05 zł |
| 10 | 1,26600 zł | 12,66 zł |
| 100 | 0,80700 zł | 80,70 zł |
| 500 | 0,60808 zł | 304,04 zł |
| 1 000 | 0,54380 zł | 543,80 zł |
| 4 000 | 0,44410 zł | 1 776,40 zł |
| 8 000 | 0,40573 zł | 3 245,84 zł |
| 12 000 | 0,38618 zł | 4 634,16 zł |
| 52 000 | 0,32995 zł | 17 157,40 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,05000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 2,52150 zł |


