Name: ZXMN6A09GQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-ZXMN6A09GQTATR-ND
Price: 11.4882 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ZXMN6A09GQTA
Numer produktu DigiKey	31-ZXMN6A09GQTATR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-ZXMN6A09GQTACT-ND - Taśma cięta (CT) 31-ZXMN6A09GQTADKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMN6A09GQTA
Opis	MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 5,4A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24.2 nC @ 10 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1407 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,4A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 40mOhm przy 8,2A, 10V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA	Bazowy numer produktu ZXMN6

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)