Kanał N 20 V 4A (Ta) 1,35W (Ta) Montaż powierzchniowy DFN322
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ZXMN2F34MATA

Numer produktu DigiKey
ZXMN2F34MATR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Diodes Incorporated
Numer produktu producenta
ZXMN2F34MATA
Opis
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 20 V 4A (Ta) 1,35W (Ta) Montaż powierzchniowy DFN322
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
ZXMN2F34MATA Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Diodes Incorporated
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
60mOhm przy 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
277 pF @ 10 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1,35W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
DFN322
Obudowa / skrzynia
3-PowerVDFN
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.