Kanał N 20 V 6,2A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-MSOP
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ZXMN2A02X8TA

Numer produktu DigiKey
ZXMN2A02X8TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Diodes Incorporated
Numer produktu producenta
ZXMN2A02X8TA
Opis
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 20 V 6,2A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-MSOP
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Diodes Incorporated
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
6,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
20mOhm przy 11A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
700mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1900 pF @ 10 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1,1W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-MSOP
Obudowa / skrzynia
8-TSSOP, 8-MSOP (szerokość 0,118", 3,00mm)
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Rodzaje opakowań alternatywnych.