Name: ZXMN10A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A25GTATR-ND
Price: 9.3603 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ZXMN10A25GTA
Numer produktu DigiKey	ZXMN10A25GTATR-ND - Taśma i szpula (TR) ZXMN10A25GTACT-ND - Taśma cięta (CT) ZXMN10A25GTADKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMN10A25GTA
Opis	MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 2,9A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 859 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,9A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 125mOhm przy 2,9A, 10V	Bazowy numer produktu ZXMN10

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 15 788

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)