ZVN4525GTC jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

ZVN4525GTA
Diodes Incorporated
W magazynie: 606
Cena jednostkowa : 5,13000 zł
Arkusz danych

Similar

BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 19 007
Cena jednostkowa : 3,05000 zł
Arkusz danych

Similar

BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 58
Cena jednostkowa : 3,30000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 250 V 310mA (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ZVN4525GTC

Numer produktu DigiKey
ZVN4525GTC-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Diodes Incorporated
Numer produktu producenta
ZVN4525GTC
Opis
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 250 V 310mA (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Diodes Incorporated
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
310mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
2,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8,5Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1,8V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
3.65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±40V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
72 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
SOT-223-3
Obudowa / skrzynia
TO-261-4, TO-261AA
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.