Name: DMWSH120H90SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM3-ND
Price: 49.0647 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMWSH120H90SM3
Numer produktu DigiKey	31-DMWSH120H90SM3-ND
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMWSH120H90SM3
Opis	SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 41A (Tc) 246W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	41A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	97.5mOhm przy 20A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50.9 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+19V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1090 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	246W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 30

Zapas fabryczny: 5 100

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	39,89000 zł	39,89 zł
30	23,84133 zł	715,24 zł
120	20,31975 zł	2 438,37 zł
510	19,62678 zł	10 009,66 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.