Name: DMWSH120H28SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM4-ND
Price: 122.8524 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMWSH120H28SM4
Numer produktu DigiKey	31-DMWSH120H28SM4-ND
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMWSH120H28SM4
Opis	SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	28.5mOhm przy 50A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3.6V przy 17.7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	173.7 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+19V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3944 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	429W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 25

Zapas fabryczny: 34 110

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	99,88000 zł	99,88 zł
30	64,68333 zł	1 940,50 zł
120	63,77550 zł	7 653,06 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.