Odpowiednik parametryczny

DMWSH120H28SCT7Q | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMWSH120H28SCT7Q |
Opis | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 85,5A (Tj) 312W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 184 nC @ 15 V |
Prod. | Vgs (maks.) +19V, -8V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3864 pF @ 1000 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 312W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Technologia | Klasa Motoryzacja |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7 |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28.5mOhm przy 50A, 15V | Obudowa / skrzynia |
Vgs(th) (maks.) przy Id 3.6V przy 17.7mA |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H28SCT7Q-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7Q-13TR-ND | 70,69388 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 50 | 87,09480 zł | 4 354,74 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 87,09480 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 107,12660 zł |

