


DMWS120H100SM4 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 31-DMWS120H100SM4-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMWS120H100SM4 |
Opis | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 40 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 37,2A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 100mOhm przy 20A, 15V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 52 nC @ 15 V | |
Vgs (maks.) | +19V, -8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1516 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 208W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 74,01000 zł | 74,01 zł |
| 30 | 46,66000 zł | 1 399,80 zł |
| 120 | 43,58633 zł | 5 230,36 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 74,01000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 91,03230 zł |

