Name: DMTH48M3SFVWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH48M3SFVWQ-13TR-ND
Price: 4.2312 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH48M3SFVWQ-13
Numer produktu DigiKey	31-DMTH48M3SFVWQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMTH48M3SFVWQ-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMTH48M3SFVWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH48M3SFVWQ-13
Opis	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 14,6A (Ta), 52,4A (Tc) 2,82W (Ta), 36,6W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14,6A (Ta), 52,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,9mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	897 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,82W (Ta), 36,6W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerDI3333-8 (SWP) typ UX
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN