Name: DMTH43M7LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M7LFGQ-13TR-ND
Price: 2.25209 PLN
Availability: OutOfStock

DMTH43M7LFGQ-13
Numer produktu DigiKey	31-DMTH43M7LFGQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH43M7LFGQ-13
Opis	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 3,5W (Ta), 65,2W (Tc) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2182 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,5W (Ta), 65,2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	1,83097 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,25209 zł

DMTH43M7LFGQ-13