Name: DMTH4008LFDFWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH4008LFDFWQ-13DITR-ND
Price: 3.7761 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH4008LFDFWQ-13
Numer produktu DigiKey	DMTH4008LFDFWQ-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMTH4008LFDFWQ-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMTH4008LFDFWQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH4008LFDFWQ-13
Opis	MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 11,6A (Ta) 990mW (Ta) Montaż powierzchniowy U-DFN2020-6 (SWP) (typ F)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11,5mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1030 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	990mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	U-DFN2020-6 (SWP) (typ F)
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	DMTH4008

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 163

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®