Name: DMTH15H017LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH15H017LPSW-13TR-ND
Price: 11.1192 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH15H017LPSW-13
Numer produktu DigiKey	31-DMTH15H017LPSW-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMTH15H017LPSW-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMTH15H017LPSW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH15H017LPSW-13
Opis	MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 1,5W (Ta), 107W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PowerDI5060-8 (typ UX)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Ta), 50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	17,5mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3369 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,5W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerDI5060-8 (typ UX)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	DMTH15