Name: DMTH10H071LFDFWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND
Price: 0.91914 PLN
Availability: OutOfStock

DMTH10H071LFDFWQ-7 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,56660 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,65549 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,62667 zł

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH10H071LFDFWQ-7
Numer produktu DigiKey	31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH10H071LFDFWQ-7
Opis	IC
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 4,6A (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany U-DFN2020-6 (SWP) (typ UXG)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	68mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	296 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,8W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	U-DFN2020-6 (SWP) (typ UXG)
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta