Name: DMTH10H015LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H015LPS-13TR-ND
Price: 8.61 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH10H015LPS-13
Numer produktu DigiKey	31-DMTH10H015LPS-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMTH10H015LPS-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMTH10H015LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH10H015LPS-13
Opis	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 7,3A (Ta), 44A (Tc) 1,3W (Ta), 46W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerDI5060-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 33.3 nC @ 10 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1871 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,3W (Ta), 46W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7,3A (Ta), 44A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerDI5060-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 16mOhm przy 20A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMTH10