Name: DMT6010LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6010LFG-7DITR-ND
Price: 5.8056 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT6010LFG-7
Numer produktu DigiKey	DMT6010LFG-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMT6010LFG-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMT6010LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT6010LFG-7
Opis	MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2,2W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Ta), 30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,5mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	41.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2090 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,2W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	DMT6010