Name: DMT6007LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6007LFG-7DITR-ND
Price: 9.8031 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT6007LFG-7
Numer produktu DigiKey	DMT6007LFG-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMT6007LFG-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMT6007LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT6007LFG-7
Opis	MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2,2W (Ta), 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMT6007LFG-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 41.3 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2090 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2,2W (Ta), 62,5W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Ta), 80A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia POWERDI3333-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6mOhm przy 20A, 10V	Bazowy numer produktu DMT6007