Name: DMT12H060LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H060LFDF-7TR-ND
Price: 4.4526 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT12H060LFDF-7
Numer produktu DigiKey	31-DMT12H060LFDF-7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMT12H060LFDF-7CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMT12H060LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMT12H060LFDF-7
Opis	MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 115 V 4,4A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy U-DFN2020-6 (typ F)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	115 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	475 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	U-DFN2020-6 (typ F)
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	DMT12