DMT10H015LCG-13 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

DMT10H015LCG-7
Diodes Incorporated
W magazynie: 2 595
Cena jednostkowa : 5,54000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFH5110TRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 100 V 9,4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy V-DFN3333-8
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMT10H015LCG-13

Numer produktu DigiKey
DMT10H015LCG-13-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Diodes Incorporated
Numer produktu producenta
DMT10H015LCG-13
Opis
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 9,4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy V-DFN3333-8
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
DMT10H015LCG-13 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Diodes Incorporated
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
9,4A (Ta), 34A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
15mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1871 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 155°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
V-DFN3333-8
Obudowa / skrzynia
8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu
DMT10
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0001,41092 zł4 232,76 zł
6 0001,31098 zł7 865,88 zł
9 0001,29999 zł11 699,91 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:1,41092 zł
Cena jednostkowa z VAT:1,73543 zł
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

Diodes Incorporated

5,54000 zł