


DMT10H010LCT | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | DMT10H010LCTDI-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMT10H010LCT |
Opis | MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 9,5mOhm przy 13A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3000 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2W (Ta), 139W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,30000 zł | 9,30 zł |
| 50 | 4,54240 zł | 227,12 zł |
| 100 | 4,07950 zł | 407,95 zł |
| 500 | 3,26770 zł | 1 633,85 zł |
| 1 000 | 3,00676 zł | 3 006,76 zł |
| 2 000 | 2,78736 zł | 5 574,72 zł |
| 5 000 | 2,55006 zł | 12 750,30 zł |
| 10 000 | 2,45072 zł | 24 507,20 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,30000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,43900 zł |

