Name: DMP4015SSSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP4015SSSQ-13DITR-ND
Price: 9.225 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP4015SSSQ-13
Numer produktu DigiKey	DMP4015SSSQ-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMP4015SSSQ-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMP4015SSSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP4015SSSQ-13
Opis	MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 9,1A (Ta) 1,45W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMP4015SSSQ-13 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 47.5 nC @ 5 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4234 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,45W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,1A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11mOhm przy 9,8A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMP4015