Name: DMN62D0LFD-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D0LFD-7DITR-ND
Price: 0.5781 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN62D0LFD-7
Numer produktu DigiKey	DMN62D0LFD-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN62D0LFD-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN62D0LFD-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN62D0LFD-7
Opis	MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 310mA (Ta) 480mW (Ta) Montaż powierzchniowy X1-DFN1212-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 31 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 480mW (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 310mA (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia X1-DFN1212-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4V	Obudowa / skrzynia 3-UDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2Ohm przy 100mA, 4V	Bazowy numer produktu DMN62

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 10 538

Zapas fabryczny: 108 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)