Name: DMN61D8LQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8LQ-7DITR-ND
Price: 3.3333 PLN
Availability: OutOfStock

DMN61D8LQ-7
Numer produktu DigiKey	DMN61D8LQ-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN61D8LQ-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN61D8LQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN61D8LQ-7
Opis	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 470mA (Ta) 390mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	470mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	3V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,8Ohm przy 150mA, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.74 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12.9 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	390mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMN61

DMN61D8LQ-7

Cena jednostkowa bez VAT:	2,71000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,33330 zł