Name: DMN60H080DS-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN60H080DS-7DITR-ND
Price: 1.845 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN60H080DS-7
Numer produktu DigiKey	DMN60H080DS-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN60H080DS-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN60H080DS-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN60H080DS-7
Opis	MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 80mA (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	100Ohm przy 60mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	25 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMN60

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 24 999

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)