Name: DMN4035L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN4035L-13DI-ND
Price: 0.40802 PLN
Availability: OutOfStock

DMN4035L-13 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 7 022

Cena jednostkowa : 1,83000 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 6 216

Cena jednostkowa : 2,42000 zł

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,42000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN4035L-13
Numer produktu DigiKey	DMN4035L-13DI-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN4035L-13
Opis	MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 4,6A (Ta) 720mW Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	42mOhm przy 4,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	574 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	720mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMN4035