Name: DMN32D2LFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LFB4DITR-ND
Price: 3.0627 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN32D2LFB4-7
Numer produktu DigiKey	DMN32D2LFB4DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN32D2LFB4DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN32D2LFB4DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN32D2LFB4-7
Opis	MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN1006-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2Ohm przy 100mA, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	39 pF @ 3 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X2-DFN1006-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	DMN32