Name: DMN31D4UFZ-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND
Price: 0.9717 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN31D4UFZ-7B
Numer produktu DigiKey	31-DMN31D4UFZ-7BTR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN31D4UFZ-7BCT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN31D4UFZ-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN31D4UFZ-7B
Opis	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 310mA (Ta) 300mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN0606-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 15.4 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 300mW (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 310mA (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia X2-DFN0606-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia 3-XFDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,5Ohm przy 100mA, 4,5V	Bazowy numer produktu DMN31

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 17 712

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)