Name: DMN30H4D0L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN30H4D0L-13TR-ND
Price: 3.6039 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN30H4D0L-13
Numer produktu DigiKey	31-DMN30H4D0L-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN30H4D0L-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN30H4D0L-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN30H4D0L-13
Opis	MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN30H4D0L-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	300 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	250mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,7V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4Ohm przy 300mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	187.3 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	310mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMN30

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 551

Zapas fabryczny: 30 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Bez możliwości anulowania i zwrotu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®