Name: DMN3018SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3018SFG-7TR-ND
Price: 3.1119 PLN
Availability: OutOfStock

DMN3018SFG-7
Numer produktu DigiKey	31-DMN3018SFG-7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN3018SFG-7CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN3018SFG-7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3018SFG-7
Opis	MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8,5A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	21mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	697 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	DMN3018

Cena jednostkowa bez VAT:	2,53000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,11190 zł

DMN3018SFG-7