Name: DMN3010LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3010LSS-13TR-ND
Price: 5.043 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN3010LSS-13
Numer produktu DigiKey	31-DMN3010LSS-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN3010LSS-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN3010LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3010LSS-13
Opis	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 16A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	43.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2096 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	DMN3010