Name: DMN3009SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3009SSS-13TR-ND
Price: 4.2804 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN3009SSS-13
Numer produktu DigiKey	31-DMN3009SSS-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN3009SSS-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN3009SSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3009SSS-13
Opis	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 15A (Ta) 1,4W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,5mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2000 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,4W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	DMN3009