Name: DMN2992UFO-7R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2992UFO-7RTR-ND
Price: 0.1235 PLN
Availability: OutOfStock

DMN2992UFO-7R jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,10041 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN2992UFO-7R
Numer produktu DigiKey	31-DMN2992UFO-7RTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2992UFO-7R
Opis	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 530mA (Ta) 420mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN0604-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	530mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	990mOhm przy 100mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	410 pC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	15.6 pF @ 16 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	420mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X2-DFN0604-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)