Name: DMN2026UVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2026UVT-7TR-ND
Price: 2.9151 PLN
Availability: OutOfStock

DMN2026UVT-7
Numer produktu DigiKey	31-DMN2026UVT-7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN2026UVT-7CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN2026UVT-7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2026UVT-7
Opis	MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 6,2A (Tc) 1,15W (Ta) Montaż powierzchniowy TSOT-26
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	24mOhm przy 6,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18.4 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	887 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,15W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TSOT-26
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	DMN2026

Cena jednostkowa bez VAT:	2,37000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,91510 zł

DMN2026UVT-7