Name: DMN2022UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2022UFDF-13-ND
Price: 0.59699 PLN
Availability: OutOfStock

DMN2022UFDF-13 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 878

Cena jednostkowa : 2,20000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 24 187

Cena jednostkowa : 3,88000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN2022UFDF-13
Numer produktu DigiKey	DMN2022UFDF-13-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2022UFDF-13
Opis	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 7,9A (Ta) 660mW (Ta) Montaż powierzchniowy U-DFN2020-6 (typ F)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22mOhm przy 4A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	907 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	660mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	U-DFN2020-6 (typ F)
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	DMN2022