Name: DMN1260UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1260UFA-7BDITR-ND
Price: 1.8081 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN1260UFA-7B
Numer produktu DigiKey	DMN1260UFA-7BDITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN1260UFA-7BDICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN1260UFA-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN1260UFA-7B
Opis	MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 12 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN0806-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMN1260UFA-7B Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0.96 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 60 pF @ 10 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 360mW (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 500mA (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia X2-DFN0806-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia 3-XFDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 366mOhm przy 200mA, 4,5V	Bazowy numer produktu DMN1260

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 20 616

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)