Name: DMN10H220LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN10H220LFDF-13TR-ND
Price: 0.39212 PLN
Availability: OutOfStock

DMN10H220LFDF-13 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,39000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN10H220LFDF-13
Numer produktu DigiKey	31-DMN10H220LFDF-13TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN10H220LFDF-13
Opis	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 2,2A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy U-DFN2020-6 (typ F)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	225mOhm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	384 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	U-DFN2020-6 (typ F)
Obudowa / skrzynia	6-UDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	DMN10