Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 6.027 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BS107PSTZ
Numer produktu DigiKey	BS107PSTZDICT-ND - Taśma cięta (CT) BS107PSTZTB-ND - Taśma i skrzynka (TB)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	BS107PSTZ
Opis	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Otwór przelotowy E-Line (kompatybilność z TO-92)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,6V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30Ohm przy 100mA, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	85 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	E-Line (kompatybilność z TO-92)
Obudowa / skrzynia	E-Line-3
Bazowy numer produktu	BS107