CDBJFSC10650-G Comchip Technology | Półprzewodniki dyskretne

CDBJFSC10650-G jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Comchip Technology

W magazynie: 472

Cena jednostkowa : 19,91000 zł

Similar

SMC Diode Solutions

W magazynie: 194

Cena jednostkowa : 11,24000 zł

Odpowiednik parametryczny

SMC Diode Solutions

W magazynie: 260

Cena jednostkowa : 7,32000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CDBJFSC10650-G
Numer produktu DigiKey	641-1934-ND
Producent	Comchip Technology
Numer produktu producenta	CDBJFSC10650-G
Opis	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 650 V 10A Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Comchip Technology
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	10A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.7 V @ 10 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	100 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F	710pF przy 0V, 1MHz
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2, pełny pakiet
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220F
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu	CDBJFSC10650