CDBGBSC20650-G Comchip Technology | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CDBGBSC20650-G
Numer produktu DigiKey	CDBGBSC20650-G-ND
Producent	Comchip Technology
Numer produktu producenta	CDBGBSC20650-G
Opis	DIODE ARRAY SIC 650V 33A TO-247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Matryca diodowa 1 para, wspólna katoda 650 V 33A (=) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Układy diod
Producent	Comchip Technology
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Konfiguracja diody	1 para, wspólna katoda
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io) (na diodę)	33A (=)
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.7 V @ 10 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	100 µA @ 650 V
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Bazowy numer produktu	CDBGBSC20650