CMPDM303NH BK Central Semiconductor Corp | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

CMPDM303NH BK
Numer produktu DigiKey	CMPDM303NHBK-ND
Producent	Central Semiconductor Corp
Numer produktu producenta	CMPDM303NH BK
Opis	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 3,6A (Ta) 350mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Central Semiconductor Corp
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	40mOhm przy 1,8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	590 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23F
Obudowa / skrzynia	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia

CMPDM303NH BK