Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 25.5717 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CDF56G6517N TR13 PBFREE
Numer produktu DigiKey	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Taśma i szpula (TR) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Taśma cięta (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Central Semiconductor Corp
Numer produktu producenta	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Opis	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 17A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Central Semiconductor Corp
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	140mOhm przy 5A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 17,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3.5 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -1,4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	125 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN