Name: CMS120N080B
Brand: Bruckewell
SKU: 4817-CMS120N080B-ND
Price: 81.8442 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CMS120N080B
Numer produktu DigiKey	4817-CMS120N080B-ND
Producent	Bruckewell
Numer produktu producenta	CMS120N080B
Opis	SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Otwór przelotowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Bruckewell
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 10A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 10mA
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	188W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)