AOTF4S60 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,31177 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,02353 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 744
Cena jednostkowa : 7,58000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 497
Cena jednostkowa : 10,84000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 877
Cena jednostkowa : 6,57000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,47984 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 772
Cena jednostkowa : 14,11000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 936
Cena jednostkowa : 7,58000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 359
Cena jednostkowa : 11,96000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 992
Cena jednostkowa : 8,91000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,22000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 50
Cena jednostkowa : 10,27000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 4A (Tc) 31W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOTF4S60

Numer produktu DigiKey
AOTF4S60-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOTF4S60
Opis
MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 4A (Tc) 31W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
900mOhm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
263 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
31W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.