AOTF11S60L jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 37
Cena jednostkowa : 7,37000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 17,46000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 030
Cena jednostkowa : 18,60000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 739
Cena jednostkowa : 16,10000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,19000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 373
Cena jednostkowa : 14,78000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 12,47000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 700
Cena jednostkowa : 7,08000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 603
Cena jednostkowa : 18,93000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 547
Cena jednostkowa : 9,65000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 970
Cena jednostkowa : 9,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 112
Cena jednostkowa : 13,43000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,36504 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,01260 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOTF11S60L

Numer produktu DigiKey
AOTF11S60L-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOTF11S60L
Opis
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 11A (Tc) 38W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
399mOhm przy 3,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
545 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
38W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0004,51474 zł4 514,74 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:4,51474 zł
Cena jednostkowa z VAT:5,55313 zł