Name: AONS66908
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: 785-AONS66908TR-ND
Price: 9.9999 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AONS66908
Numer produktu DigiKey	785-AONS66908TR-ND - Taśma i szpula (TR) 785-AONS66908CT-ND - Taśma cięta (CT) 785-AONS66908DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer produktu producenta	AONS66908
Opis	MOSFET N-CH 100V 158A 8DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 30A (Ta), 158A (Tc) 7,3W (Ta), 208W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Seria	AlphaSGT™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Ta), 158A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,2mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	97 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5117 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	7,3W (Ta), 208W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerSMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	AONS669