AOK18N65L jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 35,42880 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 552
Cena jednostkowa : 34,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 203
Cena jednostkowa : 34,66000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 662
Cena jednostkowa : 27,67000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,07067 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 1 719
Cena jednostkowa : 27,82000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 277
Cena jednostkowa : 126,16000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 325
Cena jednostkowa : 100,50000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 3
Cena jednostkowa : 22,80000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 597
Cena jednostkowa : 24,08000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 586
Cena jednostkowa : 20,09000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 482
Cena jednostkowa : 14,09000 zł
Arkusz danych
AOK20B65M2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOK18N65L

Numer produktu DigiKey
785-1589-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOK18N65L
Opis
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 18A (Tc) 417W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
390mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3785 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
417W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.