Bezodprowadzeniowa struktura termistorowa NTC NTCC201

Bezodprowadzeniowe struktury termistorowe NTC z serii NTCC201 firmy Vishay są odpowiednie do zastosowań wykorzystujących spiekanie i połączenia drutowe, zapewniają wysoką czułość, wysoką dokładność oraz stabilność długoterminową w szerokim zakresie temperatur do +175°C. Termistory NTCC201 łączone poprzez zgrzewanie przewodów idealnie sprawdzają się w pomiarze temperatury, sterowaniu i kompensacji w modułach zasilania zawierających tranzystory IGBT/MOSFET i diody w wielu różnych segmentach rynku. Urządzenia NTCC201 podłączane przez zgrzewanie zapewniają znakomite sprzężenie termiczne z komponentami mocy, dzięki czemu maksymalizują sprawność i parametry działania modułu.

Seria bezodprowadzeniowych struktur termistorowych NTCC201 firmy Vishay posiada górne i dolne styki metalizowane srebrem, dzięki czemu idealnie sprawdzają się w zastosowaniach ze spiekaniem i podłączeniem przewodów. Metalizacja srebrem o grubości co najmniej 10µm zapewnia zgodność z lutowaniem rozpływowym SAC/HMP oraz spiekaniem z użyciem pasty nanosrebrowej. Metalizacja ta jest odporna na gazy formujące związane z wszelkimi rodzajami lutowania z użyciem kalafonii i bez niej. Podczas montażu i przemywania modułu zasilania, omawiane komponenty są w stanie wytrzymać moc fal ultradźwiękowych nie ulegając uszkodzeniu. Seria NTCC201 zapewnia wysoką dokładność, stabilność długoterminową w szerokim zakresie temperatur od -55°C do +175°C, krótki czas odpowiedzi wynoszący trzy sekundy oraz kwalifikację AEC-Q200. Seria NTCC201 oferuje wartości R25, które są dostosowane do rezystywności stabilnego materiału ceramicznego termistorów, co znakomicie chroni pierwotne własności elektryczne w całym okresie użytkowania, nawet przy wysokich temperaturach, a także zapewnia dokładność nawet 1%. Struktury termistorowe NTCC są dostarczane na taśmach blistrowych do montażu automatycznego. Dzięki wysokiej temperaturze znamionowej i stabilności długoterminowej, urządzenia idealnie sprawdzają się w pomiarach temperatury, sterowaniu, zabezpieczeniach oraz kompensacji w zastosowaniach motoryzacyjnych i przemysłowych dużej mocy. Zastosowania obejmują umieszczanie struktury w modułach zasilania IGBT lub POWER MOSFET pojazdów hybrydowych i elektrycznych (H-EV), falownikach wiatrowych i solarnych oraz obwodach zabezpieczających układy scalone i moduły półprzewodnikowe.