Półmostkowy sterownik bramek UCC27284

Wytrzymały sterownik tranzystorów MOSFET z kanałem N UCC27284 firmy Texas Instruments charakteryzuje się napięciem znamionowym węzła przełączającego (HS) 100V (maks.). Pozwala na sterowanie dwoma tranzystorami MOSFET z kanałem N w topologiach półmostkowych lub opartych na synchronicznej konfiguracji obniżającej. Szczytowy prąd źródła i odbioru 3A oraz niska rezystancja podciągająca i ściągająca pozwalają układowi UCC27284 na sterowanie dużymi tranzystorami mocy MOSFET przy minimalnych stratach przełączania podczas przechodzenia przez plateau Millera tranzystora MOSFET.

Wejścia są niezależne od napięcia zasilania, dzięki czemu sterownik można stosować z kontrolerami analogowymi i cyfrowymi. Twa wejścia i wyjścia mogą nakładać się na siebie, jeżeli zachodzi potrzeba, w takich zastosowaniach, jak pełnomostkowe prostowniki synchroniczne strony wtórnej. Wtyki wejściowe i wtyk etykieta HS wytrzymują znaczne napięcia ujemne zwiększając wytrzymałość systemu. Funkcja włączania i wyłączania zapewnia dodatkową elastyczność systemu poprzez obniżenie poboru mocy przez sterownik bramek oraz szybkie reagowanie na zdarzenia usterek w systemie. Blokada pracy przy zbyt niskim napięciu (UVLO) 5V pozwala na pracę systemów z niższymi napięciami polaryzacji, które są niezbędne w wielu zastosowaniach wysokiej częstotliwości, a także poprawia sprawność systemu w określonych trybach pracy.

Niewielkie opóźnienie propagacji oraz specyfikacje dopasowania opóźnienia skracają do minimum wymagany czas martwy, co jeszcze bardziej podnosi sprawność. Stopnie strony wysokiej i strony niskiej sterownika wyposażono w blokadę pracy przy zbyt niskim (UVLO), która wymusza stan niski na wyjściach, jeżeli napięcie V_DD jest niższe od określonej wartości progowej. Zintegrowana dioda typu bootstrap eliminuje potrzebę używania zewnętrznej diody dyskretnej w wielu zastosowaniach, co oszczędza miejsce na płytce i obniża koszty systemu. Urządzenia UCC27284 są oferowane w niewielkich obudowach umożliwiających tworzenie projektów o wysokiej gęstości.